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-闪存芯片-市场洗牌再次开始 市场硝烟四起-资讯目镜

发布时间:2022-11-02 13:23:41 来源:申沪五金网
"闪存芯片"市场洗牌再次开始 市场硝烟四起-资讯 2005年闪存芯片风云起伏集中在下半年,由苹果公司(Apple)iPod MP3所引发的风暴,将NAND闪存市场推向高峰。 在NAND闪存芯片市场位居榜首的三星电子成为众矢之的,NOR闪存芯片市场供应商开始希望“两条腿走路”:瑞萨“退隐”转由台湾厂商进行代工,美光、Hynix、东芝加快投入……而这都是由小小的iPod引爆!闪存芯片市场新一轮洗牌开始。
闪存市场持续激增 半导体厂商排位生变
据调研机构Gartner公布数据来看,2005年最新出炉的全球十大半导体厂商中,除了老牌以存储器芯片位列榜眼的三星以14.3%的成长率列席之外,海力士(Hynix)以23.4%的高成长率冲入排行榜,与Hynix同时冲入排行榜的是状元郎Intel的老对手AMD。从全球前十大半导体厂商的排名中,可以清晰地看到,英特尔、三星电子、意法半导体(ST)、瑞萨科技、英飞凌、Hynix都在闪存市场中耕耘多年。这使得由苹果公司iPod刮起的MP3风潮,形成快速拉动闪存芯片市场飞速增长,形成2005年半导体产业界与CPU传统增长项目相媲美的彗星产品。 Gartner分析师唐颖浩表示,从全球角度观察,2005年闪存市场规模预计达到180亿美元左右,与2004年150亿美元相比增长13%左右。其中NAND闪存芯片总市场约在110亿美元,与去年相比增长53%,而NOR闪存芯片则有所下滑,总市场容量为70亿美元,约下滑16%左右。拉动整体闪存芯片增长的动力包括手机、MP3、PDA等大容量的应用需求,而更多的应用市场将促使闪存芯片在2006年取得进一步增长。 唐颖浩接着指出,中国市场发展状况更加优于国际市场,随着整体态势跟随国际市场,但具体情况则是“升则猛升、降则微降”,仍保持在大幅度上升态势中。2005年中国市场闪存芯片总额为57亿美元,其中NAND闪存芯片为40亿美元,增长率100%以上,NOR闪存芯片1.7亿美元,小幅下滑7%,这样的升降状况都远远好于国际市场。至于2006年中国的闪存市场,唐颖浩表示,随着更多应用的开发以及终端设备生产地更多地落户中国,2006年中国市场将更具增长空间。 美国半导行业协会(SIA)公布报告,预期2006年DRAM市场将会延续前一年衰退态势,预估将向下滑落10.1%,而闪存则可望实现两位数的增长幅度,攀升至210亿美元。SIA表示,引领半导体市场向上增长的终端产品,近来逐渐呈现由个人电脑(PC)转移至消费性便携产品的趋势,在苹果公司MP3播放器iPod等消费性电子的带动下,预期2006年NAND闪存市场增长率约在16%左右,销售额将上扬至210亿美元。反观2006年DRAM市场则将再衰退一成,仅达230亿美元规模。 市场调研公司Web-Feet Research的报告预测,三星电子在2005年仍为全球最大的闪存供应商,但由于产品降价,它的市场份额将会下降,其总体闪存销售额为62亿美元,市场份额为31.7%。由于东芝的12英寸NAND工厂投产,预计它的2005年排名将升至第二位,总体闪存市场份额为12.4%。东芝的NAND闪存市场份额预计达到18.8%,其晶圆厂合作伙伴SanDisk公司的份额为8.9%。最大的NOR供应商英特尔预计将以11.8%的总体闪存市场份额位居第三,而Spansion的排名将滑至第四位,市场份额为10.4%。韩国的Hynix在2004年排在第十位,其市场份额稳步上升,预计2005年排名将升至第五,它的总体闪存市场份额预计为7.7%,NAND闪存市场份额为13.4%。意法半导体将排在第六位,其总体闪存销售额预计为13亿美元,市场份额为6.4%。
瑞萨调整带动台商 闪存市场酝酿变局
随着闪存芯片市场杀伐之气渐浓,洗牌的局面不可避免,三星超过50%的市场份额所形成的一家独大局面,在预估2006年NAND闪存依然将缺货的情况下,被后续者东芝、Hynix紧紧追赶。在英特尔和美光冲刺合资厂之后,渐有厂商开始不得不放弃这一战场。由于游戏难以为继,瑞萨遂首先调整在闪存之外的领域。 瑞萨2005财年上半年亏损约1700万美元,预计全年的亏损超过这一数字的两倍。在重组中瑞萨把设计与开发资源集中于微控制器(MCU)、LCD驱动器和SoC器件。瑞萨科技总裁兼首席执行官Satoru Ito表示,瑞萨将不打算把内存业务作为它的支柱业务之一,将在闪存方面加强与伙伴的合作。 瑞萨科技与我国台湾省的力晶半导体之间存在协议,由后者为其生产闪存。该协议覆盖至密度最高为1GB的器件,瑞萨准备把其范围扩大到4GB器件。从2005年第三季度瑞萨闪存芯片市场成长46.4%的状态而言,认为瑞萨完全弃守并不客观,但无论怎样,代工的动作给我国台奶茶机湾厂商将带来在闪存芯片市场中新的竞争空间。 力晶董事长黄崇仁表示,力晶因为拥有越来越多12英寸晶圆厂,未来在市场占有率上将更进一步提升。NAND型闪存是力晶下一阶段相当重要的目标,因此力晶多方面全力进军闪存领域,除了先前替瑞萨代工NAND型闪存外,同时也自行成立了前讯科技闪存芯片组设计公司,希望能够借由多元化经营模式,让力晶能快速进入这一领域,而且有能力与国际NAND型闪存大厂一较长短。 [page]
三星成为“假想敌” “苹果大餐”被分而食之 力晶董事长黄崇仁表示,目前只有DRAM芯片报价是力晶唯一无法控制的,不过力晶还是以三星为努力的目标,并将三星当成最大的假想敌。 所谓“木秀于林,风必摧之”。在闪存芯片市场中,三星无疑是众人比拼的对象,原本凭借苹果的订单而独霸MP3等大容量NAND市场的优势,随着Hynix、东芝、美光快速增加整体投入,以及英特尔和美光合资厂的建立,对于2006年三星独霸半边天下之势将平添无数风云。 在英特尔和美光宣布合资进入NAND闪存市场之后,由东芝、Hynix和三星引发的NAND混战局面将进一步升级,这样的合资公司对于三星、东芝、Hynix的冲击无疑非常强烈。2005年11月22日,三星电子的股价下跌了5%,市值损失44亿美元;东芝的股价下跌了8.8%,市值损失16亿美元;Hynix的股价下跌了8.3%。 英平板夯特尔和美光成立的新公司IM Technology得到了苹果公司的认可,为了保证极受欢迎的iPod nano的供凿岩工具货量,苹果公司日前与三星、东芝、海力士(Hynix)、Intel以及美光等五大闪存厂商达成了长期供货协议,总金额高达12.5亿美元。其中,Intel与美光各得2.5亿美元,原本几乎是三星独享的“苹果大餐”不得不被多人共食。
NAND市场强势难挡 闪存有望取代硬盘
英飞凌内存部门主管罗建华表示对于闪存前景极为看好,他认为,闪存科技是具有瓦解性的科技,有取代或颠覆既有产业版图的力量,终有一天将可看到NAND型Flash取代硬盘的日子到来。未来英飞凌依然会继续发展DRAM事业,但增长幅度不会较闪存来得高。 而三星估计,到了2008年全球约有1亿台左右的台式电脑,而三星目标是要台式电脑约20%采用NAND型Flash芯片组,届时则会推出高达32GB的产品,以应台式电脑市场所需。三星表示,除了看准各项数码电子产品及手持式装置对于NAND型Flash的需求,此外,三星NAND型Flash在过去几年均持续保持以每年增加1倍容量的速度,促使客户能够开始采用三星的NAND型Flash来不断降低制造成本,使客户愿意接受NAND型Flash来取代硬盘。未来三星则会努力,每年增加容量将由原本的2倍再进一步提高到3倍~4倍。三星的目标是到了2008年,取得台式电脑硬盘20%市场,改为采用NAND型Flash。
NOR市场强强联手 市场面临重新洗牌
NOR闪存市场的变化都与英特尔有关,自2005年年中宣布重返低价位NOR闪存市场以来,对于NOR闪存市场竞争格局产生重要影响。 观察目前全球NOR闪存市场规模排名,英特尔仍坐拥龙头地位,市场占有率大约还维持在28%左右。至于意法半导体是全球NOR闪存第三大供货商,市场占有率同样也高达15%左右,二者联手的可能几乎没人想到过。 但在2005年12月初,英特尔与意法半导体共同宣布,两家公司将针对手机市场合作开发软硬件兼容的NOR闪存产品。此次英特尔与意法半导体携手合作,初期先行采用各自90纳米工艺技术,发展可兼容性的内存平台。据了解,这样的合作关系,将更进一步推进到65纳米甚至是4保险投资5纳米阶段。 英特尔Flash事业群技术长Ed Doller表示,就目前开发进度来看,英特尔将于2008年开始采用45纳米工艺技术,用于制造更高规格的内存产品。意法半导体内存事业群副总裁Giuseppe Crisenza也表示,意法的工艺技术将会与英特尔同步,也就是说到2008年,意法也将开始采用45纳米工艺技术,生产芯片用内存产品。 就目前开发进度来看,英特尔与意法双方的65纳米工艺技术所开发出的产品,将会在2006年初进入销售阶段。不过虽说这个全新可共同兼容内存的平台,开发成员仅限于英特尔及意法半导体,但由于英特尔及意法均希望有更多厂商加入,因此并不排斥其余半导体大厂一同参与,只不过到目前为止,还是会先以意法及英特尔为主。 调研机构Web-Feet指出,由于2005年大部分时间里面临困难的价格形势,预计2005年NOR闪存市场将下滑17%至83亿美元,而NAND闪存的销售额预计增长53%至113亿美元。这样的预测与目前大厂联手相关联,2006年NOR闪存市场看来还有企业要出局。
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(编辑 甘心)

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